六大核心特點
無損傷冷加工 · 高精度自動化 · 標準化量產適配
無損傷冷加工工藝
355nm皮秒紫外激光光化學刻蝕，熱影響區極低，杜絕熱灼傷、微裂紋、粉塵殘留，高度適配SiC、GaN等脆性第三代半導體晶圓。
雙工藝全場景適配
Soft Mark軟打標+Deep Mark深刻兩大核心工藝，適配拋光片、外延片、研磨片、帶保護膜晶圓，標記耐腐蝕、耐高溫烘烤。
高精度自動化定位
CCD同軸視覺系統+AI智能識別算法，自動尋邊、缺口對位，定位精度最高可達±30μm，打標一致性好。
標準化量產適配
兼容SEMI國際標準碼型，支持SECS/GEM協議無縫對接MES，適配Class1/Class10高等級潔凈車間。
國產化高性價比
對比進口設備交付周期短、本土化極速維保、運維成本低，碼型與InnoLas設備通用適配，可平滑替代。
全尺寸多材質兼容
覆蓋2-12英寸全規格晶圓，兼容硅片、碳化硅、氮化鎵、藍寶石、鈮酸鋰等襯底，研發打樣到大規模量產全覆蓋。
設備機型分類
實驗室研發到量產產線，按需選型
半自動機型
實驗室 / 小批量專用
- 手動上片模式，搭配CCD視覺對位系統
- 支持2~8英寸晶圓
- 適用于產品研發、樣品打樣、小批量試產
全自動量產機型（FOUP盒式）
潔凈車間量產產線
- 全自動機械手+FOUP晶圓盒自動上下料
- 支持4/6/8/12英寸全尺寸晶圓
- 支持正面、背面及帶保護膜Tape Mark打標
核心激光工藝
355nm皮秒紫外冷激光 · 雙打標工藝按需切換
Soft Mark 軟打標
通過淺表層改性實現標識，不破壞晶圓拋光面，可兼容后續鍍膜、研磨、高溫制程。標記層耐酸堿清洗、耐高溫烘烤，穩定性極強。
Deep Mark 深刻打標
深層永久性標識刻印，適配研磨片、厚襯底等對標記深度有要求的晶圓品類，標記永久不可篡改。
設備關鍵規格參數
支持打標碼型：SEMI OCR 點陣字符 / SEMI BC412 條形碼 / SEMI T7 Data Matrix 二維碼 / Fiducial 定位標記
| 激光光源 | 355nm 皮秒紫外激光（冷加工） |
|---|---|
| 打標形式 | 軟打標（Soft Mark）/ 深刻（Deep Mark） |
| Wafer 加工尺寸 | 2" - 12" 全規格 |
| 適配材料 | Si 硅片 / SiC 碳化硅 / GaN 氮化鎵 / 藍寶石 / LiNbO? / GaAs |
| 適配表面 | 拋光片 / 外延片EPI / 研磨片 / As-cut裸片 / 帶藍膜·保護膜晶圓 |
| 打標速度 | ≤7000mm/s |
| 視覺系統 | CCD同軸視覺，AI自動尋邊、晶圓缺口精準定位 |
| 定位精度 | 高精度版本可達 ±30μm |
| 字體標準 | SEMI 字體 |
| 產能節拍 | ≥100片/小時 |
| 潔凈適配 | Class1 / Class10 高等級潔凈室 |
| 通訊協議 | SECS/GEM，可對接工廠MES；支持單機獨立運行 |
| 選配功能 | OCR讀碼復檢、晶圓測厚、真空機械手、除塵模組、晶圓翻轉機構（正反面打標） |
典型應用場景
晶圓唯一ID全程追溯，滿足車規級、工業級品質管控要求
功率器件 / 第三代半導體
SiC IGBT、GaN器件晶圓標識，脆性襯底無損傷冷加工，保障良率。
MEMS 傳感器
微小結構件晶圓級標識，軟打標不傷功能結構。
光電子器件
化合物襯底晶圓標識，適配鈮酸鋰、砷化鎵等材料。
先進封裝 Chiplet
全流程追溯編碼，對接MES實現芯片全鏈路品質升級。
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