產品概述 DN?Wafer?Marker 為帝耐自研半導體晶圓專用激光刻字設備，面向半導體前道制程、第三代半導體、先進封裝場景；采用 355nm 皮秒紫外冷激光光化學刻蝕，熱影響極低，規避脆性晶圓熱灼傷、微裂紋風險。設備分為半自動研發機型與 FOUP 盒式全自動量產機型，支持 Soft Mark 表層改性軟打標、Deep Mark 深層深刻兩大工藝；兼容 SEMI OCR、BC412、T7?DataMatrix 等標準碼型，支持 SECS/GEM 工業協議對接工廠 MES，滿足 Class1/Class10 高等級潔凈車間。適配 2?12 英寸硅片、碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN、藍寶石、鈮酸鋰襯底拋光片、外延片、研磨片、帶保護膜晶圓。打標需要晶圓預留邊緣標記區域；芯片有效功能區不建議直接刻印；超薄、高脆性晶圓務必提前做工藝驗證；普通通用紫外、皮秒打標機不能替代本前道專用晶圓設備。

設備特點

• 355nm 皮秒紫外冷光化學加工，熱影響極低，降低 SiC/GaN 脆性晶圓微裂紋、灼傷風險，保障生產良率
• 雙工藝模式：Soft Mark 軟打標（表層改性，不干擾后續鍍膜研磨）、Deep Mark 深刻打標（深層永久標識）
• CCD 同軸視覺 + AI 尋邊定位，自動識別晶圓缺口，定位精度最高可達 ±30μm
• 完整兼容 SEMI 國際標準碼型，SECS/GEM 協議無縫對接 MES 生產系統，適配潔凈車間量產
• 兩大機型覆蓋場景：半自動適合研發小批量；全自動 FOUP 盒式適配工廠大規模產線
• 國產化替代進口方案，交付周期短，本土 48 小時維保，適配 IDM、科研單位、第三代半導體產線

應用行業

• 第三代半導體行業：SiC、GaN 功率器件晶圓標識追溯
• MEMS 與光電子：MEMS 傳感器、光電子器件、藍寶石、鈮酸鋰襯底晶圓打標
• 先進封裝 Chiplet：2?12 英寸各類半導體襯底，實現晶圓唯一 ID 全流程追溯，滿足車規級芯片管控需求

  
  

  可選配置

• OCR 讀碼復檢模塊，打標后自動校驗碼可讀性
• 晶圓翻轉機構，支持晶圓正反面打標
• 晶圓測厚檢測模組
• 專用除塵凈化模組，滿足潔凈室顆粒管控
• 定制真空吸盤機械手，適配超薄脆性晶圓
• 產線對接配套，定制化工藝配方庫