帝耐激光下面把半導體行業的激光切割（晶圓 / 硬脆材料）與激光焊接（封裝 / 功率模塊）做成一套完整、可直接落地的解決方案，覆蓋：工藝路線 + 設備選型 + 關鍵參數 + 良率 / 效率指標 + 典型案例 + 風險控制。

一、半導體激光切割解決方案（晶圓 / 第三代半導體）

（一）核心痛點

硅 / 超薄硅（20–50μm）：機械切割崩邊大、易碎裂、熱損傷

SiC/GaN（硬脆）：崩邊 5–15μm、良率低、成本高

Low?K / 超薄晶圓：熱敏感、層間易開裂

（二）分材料工藝方案

1）硅晶圓（6–12 英寸，20–200μm）

推薦工藝：紫外 / 皮秒激光隱形切割（Stealth Dicing）

激光器：355nm 紫外 / 532nm 綠光皮秒，10–50W

核心參數：

切割道：10–20μm（傳統刀片 30–50μm）

崩邊：＜1μm（傳統 5–15μm）

熱影響區：＜5μm

良率：99.5%–99.9%

流程：上料→視覺定位→隱形切割（內部改質）→裂片→清洗→下料

適用：超薄晶圓、WLP、功率器件（MOSFET/IGBT）

2）SiC/GaN 第三代半導體（6–8 英寸）

推薦工藝：紫外激光開槽 + 隱形切割

激光器：355nm 紫外，20–100W；或飛秒激光

核心參數：

崩邊：≤2μm（減少 80%）

開槽深度：5–20μm，精度 ±1μm

良率：99.0%–99.5%

效率：↑30%+

適用：新能源車功率器件、5G 射頻芯片

3）Low?K / 超薄晶圓（＜50μm）

推薦工藝：皮秒紫外激光冷燒蝕

優勢：無熱損傷、無層裂、邊緣光滑

切縫：5–15μm，Ra＜1μm

（三）標準設備配置（量產線）

整機：全自動晶圓激光切割機（大理石底座 + 高精度平臺）

運動定位：±0.5μm，重復定位 ±0.1μm

視覺：雙 CCD+AI 視覺（自動抓邊、對準、檢測）

輔助：自動上下料、保護液涂覆、清洗吹干

代表機型：大族 DA100、華工 Dicing Agent、DISCO DFL7360

（四）典型案例（量產數據）

案例 1：8 英寸超薄硅（35μm）切割

工藝：15W 紫外隱形切割

產能：120 片 / 小時

良率：99.7%（傳統刀片 92%）

崩邊：＜0.8μm

案例 2：6 英寸 SiC 開槽

工藝：50W 紫外激光

開槽寬度：15μm，深度 10μm

良率：99.2%

效率：↑40%

二、半導體激光焊接解決方案（封裝 / 功率模塊）

（一）核心痛點

微間距封裝（＜0.25mm）：傳統焊易橋連、虛焊

功率模塊（IGBT/SiC）：銅鋁異種材料、散熱要求高

熱敏元件（MEMS / 傳感器）：熱影響大易失效

（二）分場景工藝方案

1）精密互連（Chiplet/2.5D/3D 封裝）

應用：芯片凸點?基板、錫球焊、極細引腳

推薦工藝：紫外激光錫球焊 / 點焊

激光器：355nm 紫外，10–50W；脈沖光纖激光

核心參數：

焊點直徑：50–100μm

熱影響區：＜0.2mm

對位精度：±1μm

良率：99.7%–99.9%

適用：AI 芯片、高速光模塊、MEMS

2）功率模塊焊接（IGBT/SiC）

應用：DBC 覆銅板?銅 PIN 針、銅鋁散熱結構

推薦工藝：藍光 / 光纖激光焊接（銅吸收率高）

激光器：450nm 藍光（500–1500W）/1064nm 光纖

核心參數：

熔深：銅≥5mm，鋁≥3mm

無飛濺、無氣孔

良率：≥99.99%

適用：新能源車電控、光伏逆變器

3）封蓋 / 氣密性焊接（傳感器 / 光器件）

應用：金屬外殼（Kovar / 不銹鋼）、陶瓷?金屬封裝

推薦工藝：脈沖光纖激光縫焊

核心參數：

焊縫寬度：0.3–0.8mm

氣密性：≤1×10?? Pa?m3/s

良率：99.5%+

（三）標準設備配置（量產線）

整機：精密激光焊接機（大理石底座 + 恒溫控溫）

運動定位：±1μm，高速振鏡（掃描速度≥2m/s）

視覺：3D 視覺 + 實時熔池監測 + AI 閉環控溫

輔助：氮氣保護、自動送錫球、自動上下料

代表機型：帝耐半導體焊臺

（四）典型案例（量產數據）

案例 1：IGBT 模塊 PIN 針焊接

工藝：300W 光纖激光點焊

焊點：φ0.5mm，熔深 0.8mm

良率：99.99%

產能：3000 個 / 小時

案例 2：Micro LED 巨量鍵合

工藝：紅外激光線型光斑

對位精度：±1.5μm

良率：99.99%

產能：10 萬顆 / 小時

三、整體方案優勢對比（vs 傳統工藝）

激光切割 vs 機械刀片

切縫：10–20μm vs 30–50μm（材料省 3–5 倍）

崩邊：＜1μm vs 5–15μm

熱影響：＜5μm vs 機械應力 + 高溫

良率：99.5%+ vs 85%–92%

效率：↑30%–100%

激光焊接 vs 錫焊 / 釬焊

熱影響：＜0.2mm vs 2–5mm

精度：±1μm vs ±50μm

異種材料：銅 / 鋁 / 陶瓷可焊 vs 困難

良率：99.7%+ vs 95%–98%

自動化：易集成 vs 難

四、選型建議（按制程）

切割選型

超薄硅（＜50μm）：紫外隱形切割

SiC/GaN：紫外飛秒開槽 + 隱形切割

普通硅（≥100μm）：綠光 / 光纖激光切割

焊接選型

微間距封裝：紫外激光錫球焊

功率模塊（銅）：藍光激光焊接

氣密性封蓋：脈沖光纖激光縫焊

五、風險控制與良率保障

環境：恒溫（±0.5℃）、無塵（Class 1000）、防震

工藝：AI 參數庫 + 實時監測 + 閉環反饋

光學：定期校準光路、潔凈鏡片、穩定功率

檢測：AI 視覺自動檢崩邊、裂紋、虛焊